Ara mostrant els elements 1-10 de 10
Jakob Markus, Prüfer (Data de defensa: 2022-02-28)
Els transistors orgànics de capa fina (TFT) són dispositius prometedors per a les pantalles flexibles de matriu activa i els conjunts de sensors, ja que poden fabricar-se a temperatures de procés ...
Boada Navarro, Martí (Data de defensa: 2020-03-30)
L’ implementació de la tecnologia de comunicació de camp proper (NFC) en els telèfons intel·ligents no para de créixer degut a l’ús d’aquesta per fer pagaments, això, junt amb el fet de poder aprofitar ...
Navarrete Gatell, Eric (Data de defensa: 2021-09-10)
En aquesta tesis utilitzant principalment Aerosol Assited Chemical Vapor Deposition, AACVD, com a metodologia de síntesis d'òxid de tungstè nanoestructurat s'han fabricat diferents sensors de gasos. Per ...
Muniganti, Purushotham (Data de defensa: 2016-02-08)
Aquesta tesi se central en la formació d’eixams, on s’estudia el comportament coordinat d’un grup de robots per formar un patró quan s’observa a nivell global. En aquest sentit, la formació de la forma ...
Acosta Capilla, Laura Karen (Data de defensa: 2021-10-15)
S'ha demostrat que les propietats òptiques de l'alúmina nanoporosa depenen intrínsecament de la seva arquitectura, el que fa possible modular la seva índex de refracció per fabricar materials avançats ...
Bonache Samaniego, Ricardo (Data de defensa: 2017-02-23)
En aquesta tesi es presenta el funcionament auto-oscil·lant de convertidors ressonants, produït per l'ús apropiat del signe del corrent de l'inductor d'entrada com a mecanisme de canvi de la polaritat ...
González Fernández, Ernesto (Data de defensa: 2021-09-09)
Aquesta tesi està enfocada en dues línies d'investigació. La primera aborda el desenvolupament d'una metodologia basada en llum polsada per modulació de sensors químic-resistius per a l'extracció ...
Hosenfeld, Fabian (Data de defensa: 2017-12-15)
La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel ...
Horst, Fabian (Data de defensa: 2019-11-29)
En l'última dècada, el transistor d'efecte de camp amb efecte túnel (TFET) ha guanyat molt interès i es maneja com un possible successor de la tecnologia MOSFET convencional. El transport de càrrega en ...
Torimtubun, Alfonsina Abat Amelenan (Data de defensa: 2022-06-10)
Els dispositius d'alta eficiència i estables juntament amb la producció de baix cost són els requisits previs clau perquè la tecnologia fotovoltaica orgànica entri en el mercat nínxol. L'enfocament ...