Listando Departament d'Enginyeria Electrònica por materia "537"

Mostrando ítems 1-2 de 2

Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM: SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat

Blasco Jiménez, Xavier (Fecha de defensa: 2005-07-19)

Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels ...

Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures

Bayerl, Albin (Fecha de defensa: 2013-09-27)

En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha ...