TCAD study of interface traps-related variability in ultra-scaled MOSFETs 

Velayudhan, Vikas (Data de defensa: 2016-11-28)

El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas interficiales. En los ...

Thermal Conductivity and Specific Heat Measurements for Power Electronics Packaging Materials. Effective Thermal Conductivity Steady State and Transient Thermal Parameter Identification Methods 

Madrid Lozano, Francesc (Data de defensa: 2005-03-06)

Thin-film bulk acoustic wave resonators - FBAR: fabrication, heterogeneous integration with CMOS technologies and sensor applications 

Campanella Pineda, Humberto (Data de defensa: 2008-02-29)

El gran impacto de la tecnología FBAR tanto en sistemas de radio frecuencia como más recientemente en sensores han motivado el desarrollo de aplicaciones integradas. Esto implica que los procesos de fabricación deberían ...

Transmission lines loaded with electrically small resonators: modeling, analysis and applications to microwave sensors 

Su, Lijuan (Data de defensa: 2017-09-29)

El sensado por microondas para la caracterización de materiales es una tecnología prometedora y en desarrollo que se ha utilizado satisfactoriamente en las últimas décadas para aplicaciones en industria, química, ingeniería, ...

transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios 

Yaro Medina, Simeón Moisés (Data de defensa: 2014-07-21)

Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. Por una ...

Un nou encapsulat multixip per a acceleròmetres piezoresistius 

Collado Miguens, Anna (Data de defensa: 2003-02-10)

Aquest treball descriu el desenvolupament d'un sistema Smart Sensor per a acceleròmetres piezoresistius emprant la tecnologia de mòduls multixip de tipus D (MCM-D). <br/>En el camp dels Smarts Sensors existeixen dues ...

Unattended design of wideband planar filters based on stepped impedance resonators (SIRs) through aggressive space mapping (ASM) 

Sans Soler, Marc (Data de defensa: 2018-07-27)

La síntesis de circuitos planares de microondas capaces de satisfacer un conjunto de especificaciones es un tema de interés en la actualidad dentro del campo de la ingeniería de microondas. A pesar de que la mayoría de las ...

Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats 

Ayala Cintas, Núria (Data de defensa: 2013-09-30)

Durant el treball de tesi s’ha permès ampliar una línia d’investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d’Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona ...

Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures 

Bayerl, Albin (Data de defensa: 2013-09-27)

En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha ...

A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs 

Díaz Fortuny, Javier (Data de defensa: 2019-07-10)

Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las ...

Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies 

Placidi, Marcel (Data de defensa: 2010-07-28)

Vegeu mpresum1de1.pdf