Simulación Monte Carlo de transistores bipolares de heterounión abrupta (HBT) 

Garcias Salvà, Pau (Date of defense: 1999-07-23)

El desarrollo de la tecnología electrónica hace necesario disponer de modelos fiables de los dispositivos y convierte la simulación de los mismos en un elemento estratégico para su desarrollo presente y futuro. El transistor ...