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    Simulación Monte Carlo de transistores bipolares de heterounión abrupta (HBT) 

    Garcias Salvà, Pau (Data de defensa: 1999-07-23)

    El desarrollo de la tecnología electrónica hace necesario disponer de modelos fiables de los dispositivos y convierte la simulación de los mismos en un elemento estratégico para su desarrollo presente y futuro. El transistor ...