Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM 

    Porti i Pujal, Marc (Date of defense: 2003-04-04)

    La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura ...

    Non-linear nanoelectromechanical systems for energy harvesting 

    López Suárez, Miquel (Date of defense: 2014-04-30)

    Les Tecnologies de la Informació i la Comunicació (TICs) es troben arreu i experimenten un creixement del 5% cada any amb aplicacions en diverses àrees que comprenen des de la telefonia mòbil al control mèdic de la salut. ...

    Quantum many-particle electron transport in time-dependent systems with Bohmian trajectories 

    Alarcón Pardo, Alfonso (Date of defense: 2011-04-05)

    Es conocido que a escalas nanométricas se debe tratar con en el problema de muchas partículas a la hora de estudiar dispositivos electrónicos. Es estos escenarios, la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para ...

    Silicon Nanowire growth technologies for nanomechanical devices 

    Fernández Regúlez, Marta (Date of defense: 2012-09-14)

    Nanohilos de silicio obtenidos mediante el mecanismo de vapor-liquido-solido (VLS) ofrecen extraordinarias propiedades para aplicaciones en dispositivos nanomecánicos. Su calidad estructural (baja densidad de defectos, ...