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Universitat Autònoma de Barcelona
Browsing Departament d'Enginyeria Electrònica by Title
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Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. Como Cu es susceptible ...
Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf02-based structures
Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. En este sentido, ...
Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application
Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies ...
Analysis of impact of nanoscale defects on variability in mos structures
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. Grandes ...
Analysis of the Resistive Switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de ...
Antenna design solutions for radio frequency identification (RFID) tags based on metamaterial-inspired resonators and other resonant structures
Avui dia, la identificació automàtica i unívoca d’objectes s’està imposant com a necessitat creixent a nivell global, degut al ràpid increment de la producció i del comerç mundial. En resposta, la identificació per ...
Application of CMOS-MEMS integrated resonators to RF communication systems
Els dispositius MEMS han demostrat la seva utilitat en un gran ventall d'aplicacions de sensat i actuació. L'extensió al domini de RF d'aquests elements mecànics són ara una de les peces clau per sistemes altament ...
Array of microfluidic beam resonators for mass sensing applications - Design, Fabrication and Testing
En la búsqueda de herramientas de diagnóstico más eficientes, los dispositivos biosensores basados en resonadores micro y nanoelectromecánicos han demostrado un gran impacto en este ámbito debido a su alta sensibilidad, ...
Avalanche Ruggedness of Local Charge Balance Power Super Junction Transistors
L’objectiu principal de la Tesi Doctoral és augmentar la fiabilitat dels transistors MOS de potència d’alta capacitat en tensió (600 V) basats en el concepte Super-Unió quan aquests components es sotmeten a les condicions ...
CAFM Nanoscale electrical properties and reliability of HfOz based gate dielectrics in electron devices : Impact of the polycrystallization and resistive switching
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante ...
Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura ...
Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM: SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels ...
Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. ...
Caracterización de nuevos resonadores metamaterial, líneas de transmisión artificiales y aplicación en el diseño de circuitos de comunicaciones
Al comienzo delsiglo XXI ha surgido un nuevo campo de investigación en el area del electromagnetismo aplicado y de la ingenierıa de microondas, basado en el control de las propiedades electromagnéticas de estructuras ...
Characterization of nanomechanical resonators based on silicon nanowires
Els sensors de massa nanomecànics han atret un gran interès darrerament per la seva alta sensibilitat, que ve donada per les petites dimensions del ressonador que actua com a element sensor. Aquesta tesi tracta sobre la ...
Circuitos diferenciales de microondas con rechazo del modo común basados en conceptos de metamateriales y en resonadores semidiscretos
El uso de dispositivos que operen con señales diferenciales y simultáneamente supriman el modo común cada vez atrae más la atención de los ingenieros de microondas. El contenido de esta tesis está enfocado en el estudio y ...
CMOS-MEMS para aplicaciones de RF: Osciladores
En los últimos años el mercado asociado a los dispositivos MEMS/NEMS para comunicaciones está experimentando un constante aumento debido principalmente al auge en los dispositivos móviles inteligentes que incorporan un ...
Contact resistance and electrostatics of 2DFETs
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les ...
Desarrollo de microestructuras de vidrio/silicio para la fabricación de sensores de gases con circuitería CMOS asociada
El objetivo de esta tesis es el diseño y fabricación de una estructura de vidrio/silicio que permita la integración en un mismo chip de una matriz de sensores de gases y circuitería CMOS. Estas estructuras deben poseer una ...
Desarrollo de un estimulador eléctrico integrado implantable para el control de la micción en lesionados medulares
La continencia y la micción dependen de una serie de nervios periféricos que se encuentran situados en la zona sacra de la columna vertebral y regulan la actividad del músculo detrusor ( músculo de la vejiga) y del esfínter. ...
