Caicedo Roque, Jose Manuel (Date of defense: 2012-06-08)
La primera parte de esta tesis esta dividida en tres capítulos, en los cuales se introducen los conceptos básicos de magnetoóptica y detalles experimentales. Seguidamente se discuten los resultados ...
Cañero Infante, Ingrid (Date of defense: 2008-04-08)
Lüders, Ulrike Anne (Date of defense: 2005-05-20)
En esta memoria se describe el crecimiento, mediante pulverización catódica rf, de capas delgadas de NiFe2O4 y CoCr2O4 sobre distintos substratos y la subsiguiente caracterización magnética y eléctrica. ...
Gutiérrez Yatacue, Diego Fernando (Date of defense: 2015-02-12)
La miniaturización ha sido el concepto relevante de la tecnología basada en silicio. No obstante, el escalamiento de su elemento pilar (el transistor de efecto de campo por apilamiento de metal/óxido/ ...
Pesquera Herrero, David (Date of defense: 2014-10-10)
Sulzbach, Milena Cervo (Date of defense: 2021-05-26)
El requisit de sistemes informàtics i d’emmagatzematge de dades d’alt rendiment en l’era de l’Internet de les coses (IOT) aconsegueix els límits de la tecnologia actual. Les memòries flaix DRAM i NAND ...
Mirjolet, Mathieu (Date of defense: 2021-07-23)
Els òxids conductors transparents (TCO) són essencials en dispositius tecnològics. La seva capacitat per combinar una alta conductivitat elèctrica i transparència òptica a la llum visible, els fa ...
Qian, Mengdi (Date of defense: 2018-11-16)
Los condensadores ferroeléctricos están formados por dos electrodos metálicos separados por una capa ferroeléctrica, y tienen un gran potencial para dispositivos lógicos y memorias. El carácter ...
Dix, Nico (Date of defense: 2017-04-27)
Els òxids complexos, particularment aquells que tenen estructura perovskita, presenten un ampli espectre de propietats funcionals. En l'ultima dècada s'ha posat molta atenció en materials que ...
Liu, Fanmao (Date of defense: 2017-07-24)
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su ...