Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado

llistat de metadades

Director

Rodríguez Martínez, Rosana

Martín Martínez, Javier

Date of defense

2012-12-18

ISBN

9788449034558

Legal Deposit

B-7537-2013

Pages

154 p.



Department/Institute

Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica

Abstract

Resums pendents

Subjects

621.3 Electrical engineering

Knowledge Area

Tecnologies

Recommended citation

Documents

Llistat documents

acy1de1.pdf

4.085Mb

 

Rights

ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

This item appears in the following Collection(s)