Àrea de contingut
Universitat Autònoma de Barcelona
Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
llistat de metadades
Author
Director
Rodríguez Martínez, Rosana
Martín Martínez, Javier
Date of defense
2012-12-18
ISBN
9788449034558
Legal Deposit
B-7537-2013
Pages
154 p.
Department/Institute
Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Abstract
Resums pendents
Keywords
Subjects
621.3 Electrical engineering
Knowledge Area
Recommended citation
Rights
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
