2024-03-29T11:41:12Zhttps://www.tdx.cat/oai/requestoai:www.tdx.cat:10803/983462019-03-12T08:39:24Zcom_10803_1col_10803_64
nam a 5i 4500
Deposició en fase de vapor
Deposición en fase de vapor
Vapor-plating
Hot Wire CVD
ECV de alambre caliente
ECV de fil calent
Cat-CVD
Cèl·lules solars
Células solares
Solar cells
Silici
Silicio
Silicon
Pel·lícules fines
Películas delgadas
Thin films
Microcrystalline silicon
Silici microcristal·lí
Silicio microcristalino
HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
[Barcelona] :
Universitat de Barcelona,
2013
Accés lliure
http://hdl.handle.net/10803/98346
cr |||||||||||
AAMMDDs2013 sp ||||fsm||||0|| 0 eng|c
Nos Aguilà, Oriol,
autor
1 recurs en línia (196 pàgines)
Tesi
Doctorat
Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica
2013
Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica
Tesis i dissertacions electròniques
Bertomeu i Balagueró, Joan,
supervisor acadèmic
Frigeri, Paolo Antonio,
supervisor acadèmic
TDX
The first block of this thesis deals with the study of the degradation process of tungsten catalytic filaments in the field of silicon deposition with the Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) technique. The development of technological solutions addressed to the filaments protection will also be dealt as well as the design, fabrication and performance of a novel system for the automatic replacement of used filaments in a HWCVD reactor. The second block deals with the scaling up of HWCVD towards large area deposition and the existence of a scaling law that may allow the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) at high rate preserving the material quality.
b
ES-BaCBU
cat
rda
ES-BaCBU
text
txt
rdacontent
informàtic
c
rdamedia
recurs en línia
cr
rdacarrier