2024-03-29T10:18:27Zhttps://www.tdx.cat/oai/requestoai:www.tdx.cat:10803/6740812022-04-20T11:29:39Zcom_10803_311col_10803_315
nam a 5i 4500
model analític
GAA FET
efectes quàntics
modelo analítico
efectos cuánticos
analytical modeling
quantum effects
Analytical Modeling of Ultrashort-Channel MOS Transistors
[Tarragona] :
Universitat Rovira i Virgili,
2022
Accés lliure
http://hdl.handle.net/10803/674081
cr |||||||||||
AAMMDDs2022 sp ||||fsm||||0|| 0 eng|c
Yilmaz, Kerim,
autor
1 recurs en línia (144 pàgines)
Tesi
Doctorat
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
2022
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Tesis i dissertacions electròniques
Lime, François Gilbert Marie,
supervisor acadèmic
Klös, Alexander Gunther,
supervisor acadèmic
TDX
Les geometries de transistors d'avui són al rang de nanòmetres d'un sol dígit. En conseqüència, les funcionalitats dels dispositius es veuen afectades negativament pels efectes de canal curt i de mecànica quàntica (SCE i QMEs). Una transició de la geometria del transistor d'efecte de camp de tipus FinFET a Gate-All-Around (GAA) FETs com FETs de nanofils cilíndrics (NW) i de nanoplaques de silici (SiNS) es preveuen en els propers nodes tecnològics per suprimir els SCE i garantir una major miniaturització del MOSFET Aquesta dissertació se centra en el modelat analític de FETs de tipus NW i SiNS de canal ultracurt.S'introdueix un concepte de dimensions de doble porta (DG) equivalent per transferir un model de potencial de DG analític a FET de NW. Un model de corrent de DG compacte es modifica aprofitant la simetria rotacional dels FET de NW. L'efecte del confinament quàntic (QC) és implementat considerant l'eixamplament addicional de la banda prohibida al càlcul d'una concentració de portadors de càrrega intrínseca efectiva i al càlcul del voltatge llindar. L'efecte de corrent túnel directe de font a drenador (DSDT) a SiNS FET ultraescalats es modela amb el nou mètode de wavelets. Aquest model calcula analíticament la probabilitat de tunelització per a cada energia de l'electró, aproximant la forma de la barrera potencial mitjançant una barrera rectangular amb una altura de barrera equivalent. A causa de la fórmula de corrent túnel de Tsu-Esaki no analíticament integrable, es presenta un mètode analític anomenat model quasi-compacte (QCM). Aquest enfocament requereix, entre altres aproximacions, una iteració de Newton i una interpolació lineal de la densitat de corrent amb efecte túnel. A més, es realitza una anàlisi criogènica de temperatura i dopatge. S'investiga la forta influència de la distància del nivell de Fermi a la font des de la vora de la banda de conducció sobre el pendent subumbral, el corrent i la reducció de la barrera induïda per drenador (DIBL). A més, es demostra i explica la fusió de dos efectes relacionats amb el pendent subumbral i el DIBL. La validesa del concepte de dimensions DG equivalents es demostra mitjançant el mesurament i les dades de simulació de TCAD Sentaurus, mentre que el mètode de wavelets es verifica mitjançant simulacions NanoMOS NEGF.
r
ES-BaCBU
cat
rda
ES-BaCBU
text
txt
rdacontent
informàtic
c
rdamedia
recurs en línia
cr
rdacarrier