2024-03-28T17:29:02Zhttps://www.tdx.cat/oai/requestoai:www.tdx.cat:10803/4629012018-03-20T09:15:04Zcom_10803_311col_10803_315
nam a 5i 4500
MOSFET d'ultraescala
modelatge analític
NEGF
MOSFET ultra-escalado
modelado analítico
ultra-scaled MOSFET
analytical modeling
NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs
[Tarragona] :
Universitat Rovira i Virgili,
2018
Accés lliure
http://hdl.handle.net/10803/462901
cr |||||||||||
AAMMDDs2018 sp ||||fsm||||0|| 0 eng|c
Hosenfeld, Fabian,
autor
1 recurs en línia (152 pàgines)
Tesi
Doctorat
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
2017
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Tesis i dissertacions electròniques
Gilbert Marie Lime, François,
supervisor acadèmic
Iñiguez Nicolau, Benjamin,
supervisor acadèmic
Gunther klös, Alexander,
supervisor acadèmic
TDX
La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel SD ha guanyat més importància especialment per als desenvolupadors de models compactes. La funció de Green de no equilibri (NEGF) s'ha convertit en un mètode de l'estat-de-art per a la simulació a nano-escala dels dispositius en els últims anys. En el sentit d'un enfocament de simulació a escala múltiple és necessari tancar la bretxa entre els models compactes amb el seu càlcul ràpid i eficient del corrent, i els models numèrics que consideren els efectes quàntics dels dispositius de nano escala . En aquest treball, s'introdueix un model analític basat en NEGF pels MOSFETs de doble comporta (DG) de nano-escala i FETs d'efecte túnel. El model consisteix en una solució del potencial de forma tancada a partir d'un model compacte clàssic i un formalisme NEGF 1D per al càlcul del corrent, tenint en compte els efectes quàntics. El càlcul del potencial omet l'acoblament iteratiu, la qual cosa permet el càlcul directe del corrent. El model es basa en un enfocament balístic del mètode NEGF on els efectes de la retro-dispersió es consideren com de segon ordre de manera simplificada. La precisió i escalabilitat del model no iteratiu per a DG MOSFET s'inspecciona en comparació de dades numèriques de simulacions TCAD nanoMOS per a longituds de canal des de 6 nm fins a 30 nm. Amb l'ajuda d'aquest model es realitzen recerques sobre els efectes de canal curt i de la temperatura. Els resultats del model analític de FET-túnel es verifiquen amb dades numèriques provinents de simulacions TCAD Sentaurus.
r
ES-BaCBU
cat
rda
ES-BaCBU
text
txt
rdacontent
informàtic
c
rdamedia
recurs en línia
cr
rdacarrier