Now showing items 97-100 of 100

    Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats 

    Ayala Cintas, Núria (Date of defense: 2013-09-30)

    Durant el treball de tesi s’ha permès ampliar una línia d’investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d’Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona ...

    Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures 

    Bayerl, Albin (Date of defense: 2013-09-27)

    En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha ...

    A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs 

    Díaz Fortuny, Javier (Date of defense: 2019-07-10)

    Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las ...

    Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies 

    Placidi, Marcel (Date of defense: 2010-07-28)

    Vegeu mpresum1de1.pdf