Metal Deposition on Silicon from Fluoride Solution.

dc.contributor
Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica
dc.contributor.author
Gorostiza Langa, Pablo Ignacio
dc.date.accessioned
2011-04-12T13:34:10Z
dc.date.available
2002-06-27
dc.date.issued
2000-02-18
dc.date.submitted
2002-06-27
dc.identifier.isbn
8469990306
dc.identifier.uri
http://www.tdx.cat/TDX-0627102-092907
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/1504
dc.description.abstract
Metallic deposits can be produced on the surface of silicon crystals by immersion in aqueous solutions containing fluoride and the metallic ions. This work aims to elucidate the general mechanism of the deposition process, based on "in situ" electrochemical measurements under potentiostatic control and "ex situ" microscopic and spectroscopic techniques. The mechanism developed takes into account the classical concepts of semiconductor electrochemistry, as well as the recent advances in the understanding of silicon chemistry. The consequences of this study and its technological applications are also discussed.
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Universitat de Barcelona
dc.rights.license
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject
Electrònica
dc.subject
Dipòsits metàl·lics
dc.subject
Silici
dc.subject.other
Ciències Experimentals i Matemàtiques
dc.title
Metal Deposition on Silicon from Fluoride Solution.
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.subject.udc
621.3
dc.contributor.director
Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.contributor.director
Sanz Carrasco, Fausto
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.identifier.dl
B.35644-2002


Documents

gorostiza.pdf

74.14Mb PDF

This item appears in the following Collection(s)