dc.contributor
Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica
dc.contributor.author
Arbiol i Cobos, Jordi
dc.date.accessioned
2011-04-12T13:34:07Z
dc.date.available
2002-01-22
dc.date.issued
2001-07-19
dc.date.submitted
2002-01-22
dc.identifier.isbn
8447526364
dc.identifier.uri
http://www.tdx.cat/TDX-0122102-095348
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/1503
dc.description.abstract
Recently, there has been an increasing interest in the electronics world for those aspects related to semiconducting gas sensor (SGS) materials. In view of the increasingly strict legal limits for pollutant gas emissions, there is a great interest in developing high performance gas sensors for applications such as controlling air pollution and exhaust gases. In this way, semiconductor gas sensors offer good advantages with respect to other gas sensor devices (such as spectroscopic and optic systems), due to their simple implementation, low cost and good reliability for real-time control systems. <br/>In the present work, we have been especially interested in the study of the different ways of metal additive distribution in the most common SGS materials used nowadays and furthermore in the physical and chemical sensing properties they can achieve.
cat
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.publisher
Universitat de Barcelona
dc.rights.license
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject
Nanotecnologia
dc.subject.other
Ciències Experimentals i Matemàtiques
dc.title
Metal Additive Distribution in TiO2 and SnO2 Semiconductor Gas Sensor Nanostructured Materials
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.contributor.director
Peiró Martínez, Francisca
dc.contributor.director
Cornet i Calveras, Albert
dc.contributor.tutor
Cornet Calveras, Albert
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.identifier.dl
B.6326-2002
